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V20100C, VF20100C, VB20100C, VI20100C
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 14-Aug-13
3
Document Number: 88977
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Fig. 3 -
Typical Instantaneous Forward Characteristics
Per Diode
Fig. 4 -
Typical Reverse Characteristics
Per Diode
Fig. 5 -
Typical Junction Capacitance
Per Diode
Fig. 6 -
Typical Transient Thermal Impedance
Per Diode
Fig. 7 -
Typical Transient Thermal Impedance
Per Diode
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8
1.0 1.2 1.4 1.6
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneous Forward Voltage (V)
Instantaneo
u
s For
w
ard C
u
rrent (A)
0.001
0.01
0.1
1
10
100
10 20 30 40 50 60 70
80 90 100
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
Instantaneo
u
s Re
v
erse C
u
rrent (mA)
10
100
1000
10 000
0.1 1 10 100
Reverse Voltage (V)
J
u
nction Capaci
tance (pF)
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 m
Vp-p
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
V(B,I)20100C
1
10
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
Transient Thermal Impedance (°C/
W
)
Junction to Case
VF20100C
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